半導(dǎo)體元器件及其制備方法及電子裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010072139.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113223997A 公開（公告）日 2021-08-06
申請公布號 CN113223997A 申請公布日 2021-08-06
分類號 H01L21/768（2006.01）I;H01L23/528（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 卞成洙;金志勲;金玄永 申請（專利權(quán)）人 夏泰鑫半導(dǎo)體（青島）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市賽恩倍吉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 饒婕
地址 266000山東省青島市黃島區(qū)太白山路172號青島中德生態(tài)園雙創(chuàng)中心219室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體元器件的制造方法，其包括以下步驟：在半導(dǎo)體基體上設(shè)有若干個(gè)間隔設(shè)置的金屬線，每一金屬線包括自所述半導(dǎo)體基體的表面向外層疊設(shè)置的第一氮化鈦層、金屬層、第二氮化鈦層；在所述半導(dǎo)體基體上沉積第一氧化物膜，以使所述第一氧化物膜覆蓋所述金屬線，且相鄰的覆蓋有所述第一氧化物膜的所述金屬線之間間隔設(shè)置；沉積第二氧化物膜以覆蓋所述第一氧化物膜，且所述第二氧化物膜與所述第一氧化物膜在相鄰的所述金屬線之間形成密閉的氣隙；以及在所述第二氧化膜上沉積氮化物膜。上述制造方法有利于提高半導(dǎo)體元器件的良率。本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體元器件以及應(yīng)用所述半導(dǎo)體元器件的電子裝置。