半導(dǎo)體元器件及其制造方法、電子裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010166362.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113380713A 公開(kāi)（公告）日 2021-09-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN113380713A 申請(qǐng)公布日 2021-09-10
分類(lèi)號(hào) H01L21/8242（2006.01）I;H01L27/108（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 金德容;吳容哲 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 夏泰鑫半導(dǎo)體（青島）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市賽恩倍吉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 饒婕;龔慧惠
地址 266000山東省青島市黃島區(qū)太白山路172號(hào)青島中德生態(tài)園雙創(chuàng)中心219室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體元器件的制造方法，包括：提供一半導(dǎo)體襯底，包括依次設(shè)置的陣列區(qū)、隔離區(qū)以及外圍區(qū)；在陣列區(qū)沉積第一氧化物層；在第一氧化物層、隔離區(qū)以及外圍區(qū)上沉積第一多晶硅層；再沉積第二氧化物層；去除陣列區(qū)及隔離區(qū)上的第一多晶硅層及第二氧化物層；在陣列區(qū)開(kāi)設(shè)線(xiàn)槽以貫穿第一氧化物層；在第一氧化物層、線(xiàn)槽內(nèi)、隔離區(qū)及第二氧化物層上沉積第二多晶硅層；去除線(xiàn)槽內(nèi)之外的第二多晶硅層及外圍區(qū)上的第二氧化物層；再沉積金屬層；設(shè)置掩膜，且金屬層對(duì)應(yīng)隔離區(qū)的區(qū)域從掩膜露出；蝕刻使得金屬層形成開(kāi)口以露出隔離區(qū)；在開(kāi)口內(nèi)沉積氧化物；以及蝕刻處理露出第一氧化物層，并對(duì)應(yīng)線(xiàn)槽形成位線(xiàn)。本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體元器件及電子裝置。