電容器的制備方法及電容器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010158933.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113363385A 公開（公告）日 2021-09-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN113363385A 申請(qǐng)公布日 2021-09-07
分類號(hào) H01L49/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李相晚 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 夏泰鑫半導(dǎo)體（青島）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市賽恩倍吉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 彭輝劍;龔慧惠
地址 266000 山東省青島市黃島區(qū)太白山路172號(hào)青島中德生態(tài)園雙創(chuàng)中心219室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種電容器的制備方法，包括：提供襯底；于所述襯底上依次形成第一模層、第一支撐層、第二模層和第二支撐層，所述第一模層和所述第二模層中的至少一個(gè)包括具有低介電常數(shù)或超低介電常數(shù)的絕緣介質(zhì)；開設(shè)至少一貫穿的接觸孔，開設(shè)所述接觸孔后的所述第一支撐層和所述第二支撐層形成一第一支撐層圖案和一第二支撐層圖案；在所述接觸孔的內(nèi)表面形成下電極，使得所述第一支撐層圖案和所述第二支撐層圖案位于所述下電極的側(cè)壁；及移除開設(shè)所述接觸孔后的所述第一模層和所述第二模層，其中，包括所述絕緣介質(zhì)的所述第一模層和/或所述第二模層采用灰化工藝移除。本申請(qǐng)還提供由上述方法制得的電容器。