半導(dǎo)體處理工藝及半導(dǎo)體元器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010072119.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113223951A 公開（公告）日 2021-08-06
申請公布號 CN113223951A 申請公布日 2021-08-06
分類號 H01L21/285 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 樸相榮;金志勛;金玄永;徐康元 申請（專利權(quán)）人 夏泰鑫半導(dǎo)體（青島）有限公司
代理機構(gòu) 深圳市賽恩倍吉知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 肖昀
地址 266000 山東省青島市黃島區(qū)太白山路172號青島中德生態(tài)園雙創(chuàng)中心219室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體處理工藝，其包括以下步驟：提供復(fù)合結(jié)構(gòu)，包括層疊設(shè)置的硅基體及絕緣層，且所述絕緣層上開設(shè)有露出部分所述硅基體的開口；在第一溫度下沉積第一鈦層，所述第一鈦層形成于所述絕緣層背離所述硅基體的表面、所述開口的側(cè)壁及從所述開口露出的部分所述硅基體，且從所述開口露出的所述硅基體的表面與部分沉積的所述第一鈦層反應(yīng)形成硅化鈦層；通入氨氣對所述第一鈦層進行氮化處理，使得所述第一鈦層遠離所述硅基體的部分反應(yīng)形成氮化鈦層；以及在第二溫度下沉積第二鈦層，所述第二鈦層覆蓋所述氮化鈦層，其中，所述第一溫度小于所述第二溫度。本發(fā)明還提供由上述半導(dǎo)體處理工藝制得的半導(dǎo)體器件。