半導體器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010072770.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113224030A 公開（公告）日 2021-08-06
申請公布號 CN113224030A 申請公布日 2021-08-06
分類號 H01L23/538;H01L27/108;H01L29/10;H01L21/8242 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 金一球 申請（專利權）人 夏泰鑫半導體（青島）有限公司
代理機構 深圳市賽恩倍吉知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 彭輝劍;龔慧惠
地址 266000 山東省青島市黃島區(qū)太白山路172號青島中德生態(tài)園雙創(chuàng)中心219室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開案提供一種半導體器件及其制造方法。所述半導體器件包括：第一鰭狀結構，在基板上，且具有條形平面輪廓；和第一導線結構，在低于所述第一鰭狀結構的最頂面的之水平截交于所述第一鰭狀結構的中間區(qū)域。