一種適用于大尺寸單晶拉制的內(nèi)嵌式大軸托桿

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201921976688.1 申請日 -
公開（公告）號 CN211921740U 公開（公告）日 2020-11-13
申請公布號 CN211921740U 申請公布日 2020-11-13
分類號 C30B15/10;C30B29/06 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 韓凱;張文霞;武志軍;郭謙;霍志強;郭志榮;張石晶;王勝利;趙志遠;高潤飛 申請（專利權(quán)）人 TCL中環(huán)新能源科技股份有限公司
代理機構(gòu) 天津諾德知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 代理人 內(nèi)蒙古中環(huán)光伏材料有限公司
地址 300384 天津市濱海新區(qū)新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)華苑產(chǎn)業(yè)區(qū)（環(huán)外）海泰東路12號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供一種適用于大尺寸單晶拉制的內(nèi)嵌式大軸托桿,所述大軸托桿由原來的圓柱形改進為圓臺狀，包括托帽和下部托桿,坩堝堝托下端設(shè)有凹槽,所述托帽的形狀、尺寸與所述凹槽一致，所述下部托桿為圓柱形且橫截面面積小于所述托帽橫截面面積，所述托帽的上部橫截面面積小于下部橫截面面積，圓臺狀的設(shè)計配合設(shè)置有內(nèi)嵌式凹槽的坩堝堝托，減少大軸托桿的厚度，提高了坩堝在下限位時最大投料量，同時有效的增加了托桿的穩(wěn)定性，能保證在運行中石墨堝穩(wěn)定無異常的前提下，增加了坩堝的下限位距離，可以最大化的增加投料量，來提高大尺寸單晶的產(chǎn)出。