一種拉晶爐P-N型轉(zhuǎn)換過程中雜質(zhì)元素的控制系統(tǒng)及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210079672.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114574964A 公開（公告）日 2022-06-03
申請公布號 CN114574964A 申請公布日 2022-06-03
分類號 C30B29/06;C30B15/00;C30B15/20 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 王忠保;馬成;芮陽 申請（專利權(quán)）人 杭州中欣晶圓半導(dǎo)體股份有限公司
代理機構(gòu) 杭州融方專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 沈相權(quán)
地址 311201 浙江省杭州市錢塘新區(qū)東墾路888號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種拉晶爐P?N型轉(zhuǎn)換過程中雜質(zhì)元素的控制系統(tǒng)及方法，本發(fā)明涉及單晶硅制備技術(shù)領(lǐng)域。該拉晶爐P?N型轉(zhuǎn)換過程中雜質(zhì)元素的控制系統(tǒng)及方法，通過除雜質(zhì)組件的設(shè)置，當(dāng)充氣腔與液面保持齊平停止后，當(dāng)連桿通過滑塊以及滑槽的配合向下移動的同時、將對應(yīng)的復(fù)位彈簧進行拉伸，當(dāng)通過驅(qū)動氣缸的運行，帶動其端部固定安裝的拉晶硅棒向上拉動的同時，液面會隨著晶體的生長進行下降，同時若干個與液面接觸的吸附棒會通過液面的下降以及復(fù)位彈簧的配合進行緩慢下降的同時、緩慢與液面進行分離，直至液面的雜質(zhì)吸附至吸附棒的端部向下堆積，保證了雜質(zhì)的吸附效果，提升了晶體的生長質(zhì)量。