一種測(cè)量二氧化硅薄膜致密性的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201911408772.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111128784A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-05-08 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111128784A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-05-08 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/66;H01L21/02;H01L21/311 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 袁昌峰 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 杭州中欣晶圓半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 杭州融方專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 杭州中欣晶圓半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 地址 | 311201 浙江省杭州市蕭山區(qū)杭州大江東產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)江東大道3899號(hào)709-18 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種測(cè)量方法，尤其涉及一種測(cè)量二氧化硅薄膜致密性的方法。準(zhǔn)備好經(jīng)過(guò)清洗后的單晶硅晶圓作為原料，單晶硅晶圓的規(guī)格：8英寸，即直徑為200mm，厚度為735μm，摻雜劑為Bo，晶向?yàn)?00，電阻率為0.002～0.0033Ω·cm重?fù)疆a(chǎn)品。一種測(cè)量二氧化硅薄膜致密性的方法，測(cè)量方法科學(xué)合理，進(jìn)一步提升后期產(chǎn)品品質(zhì)。 |
