一種測量二氧化硅薄膜致密性的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911408772.8 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN111128784B 公開（公告）日 2022-06-24
申請公布號(hào) CN111128784B 申請公布日 2022-06-24
分類號(hào) H01L21/66;H01L21/02;H01L21/311 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 袁昌峰 申請（專利權(quán)）人 杭州中欣晶圓半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州融方專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 沈相權(quán)
地址 311201 浙江省杭州市蕭山區(qū)杭州大江東產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)江東大道3899號(hào)709-18
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種測量方法，尤其涉及一種測量二氧化硅薄膜致密性的方法。準(zhǔn)備好經(jīng)過清洗后的單晶硅晶圓作為原料，單晶硅晶圓的規(guī)格：8英寸，即直徑為200mm，厚度為735μm，摻雜劑為B，晶向?yàn)?00，電阻率為0.002～0.0033Ω·cm重?fù)疆a(chǎn)品。一種測量二氧化硅薄膜致密性的方法，測量方法科學(xué)合理，進(jìn)一步提升后期產(chǎn)品品質(zhì)。