一種用菱鎂礦石生長氧化鎂晶體的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200410021334.3 申請日 -
公開（公告）號 CN1265032C 公開（公告）日 2006-07-19
申請公布號 CN1265032C 申請公布日 2006-07-19
分類號 C30B29/16(2006.01);C30B11/02(2006.01);C01F5/02(2006.01) 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 王寧會;黃耀;戚棟;范衛(wèi)東;吳彥 申請（專利權(quán)）人 遼寧中大超導(dǎo)材料有限公司
代理機構(gòu) 大連理工大學專利中心 代理人 大連理工大學;遼寧中大超導(dǎo)材料有限公司
地址 116024遼寧省大連市甘井子區(qū)凌工路2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于材料科學與技術(shù)領(lǐng)域，涉及到晶體生長科學與技術(shù)，尤其是用菱鎂礦石生長氧化鎂晶體的方法。本發(fā)明的特征是用菱鎂礦石為原料，以冷坩堝為爐體，先焙燒菱鎂礦石，經(jīng)選別制取三種輕燒氧化鎂按比例混合，放入冷坩堝爐體中，采用三相交流電熔法加熱，控制升溫、恒溫和降溫曲線，即可獲得象水晶一樣晶瑩剔透高雅大方的立方氧化鎂晶體。本發(fā)明的效果和益處是其生長方法簡單，易于掌握，工藝穩(wěn)定，是新一代高科技產(chǎn)品。