一種用控溫電弧爐制備氧化鎂晶體的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200410100459.5 申請日 -
公開（公告）號 CN1316071C 公開（公告）日 2007-05-16
申請公布號 CN1316071C 申請公布日 2007-05-16
分類號 C30B11/00(2006.01);C30B29/16(2006.01) 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 王寧會;王曉臣;黃耀;戚棟;吳彥;李國鋒 申請（專利權）人 大連理工大學科技園有限公司
代理機構 大連理工大學專利中心 代理人 大連理工大學;遼寧中大超導材料有限公司
地址 116024遼寧省大連市甘井子區(qū)凌工路2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于材料科學與技術領域，涉及到金屬氧化物晶體制備方法，特別涉及到一種用控溫電弧爐制備氧化鎂晶體的方法。以申請人的發(fā)明申請《一種制備氧化鎂晶體的控溫電弧爐》中公布的電弧爐為實施基礎，以從感溫設備得到的數(shù)據(jù)和預設的溫度場方程計算得到的爐內(nèi)溫度狀態(tài)作為進行電弧和冷卻設備操作的依據(jù)，通過電弧和冷卻設備的配合工作在爐中形成適宜晶體生長的溫度場。本發(fā)明的效果和益處是，提出的氧化鎂晶體制備方法可以提供適宜的晶體生長環(huán)境，大幅度提高氧化鎂晶體的產(chǎn)量和質(zhì)量，有效的節(jié)省了能源，顯著地降低了成本。另外，該技術也可以用來生長其他高溫晶體。