一種碳化硅MCT器件及其制造方法與應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210230641.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114744032A 公開（公告）日 2022-07-12
申請公布號 CN114744032A 申請公布日 2022-07-12
分類號 H01L29/423（2006.01）I;H01L29/745（2006.01）I;H01L29/749（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I;H01L21/332（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 溫正欣;和巍巍;汪之涵;張學(xué)強(qiáng);喻雙柏 申請（專利權(quán)）人 深圳基本半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳新創(chuàng)友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 518000廣東省深圳市坪山區(qū)坑梓街道辦事處秀新社區(qū)錦繡中路14號深福保現(xiàn)代光學(xué)廠區(qū)B棟201
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種碳化硅MCT器件，其從下到上依次包括n型碳化硅襯底（1）、n型碳化硅緩沖層（2）、p型漂移層（3）、n型基區(qū)（4）；n型基區(qū)上部從左到右依次設(shè)有第一p型溝道區(qū)（5）、p型陽極區(qū)（7）和第二p型溝道區(qū)（5’），第一p型溝道區(qū)（5）和第二p型溝道區(qū)（5’）分別包裹有第一n型陽極區(qū)（6）和第二n型陽極區(qū)（6’）；n型基區(qū)（4）頂部一側(cè)設(shè)有溝槽，溝槽側(cè)壁覆蓋有溝槽柵氧化層（8），溝槽內(nèi)部填充第一柵電極（9），形成溝槽柵結(jié)構(gòu)；n型基區(qū)（4）頂部另一側(cè)覆蓋有平面柵氧化層（8’），在平面柵氧化層（8’）上部填充第二柵電極（9），形成平面柵結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的器件導(dǎo)通性能好，適合作為高壓大功率電力電子領(lǐng)域的基礎(chǔ)元器件。