一種復(fù)合場(chǎng)限環(huán)終端結(jié)構(gòu)及制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111565959.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114335141A 公開（公告）日 2022-04-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN114335141A 申請(qǐng)公布日 2022-04-12
分類號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 杜蕾;張學(xué)強(qiáng);溫正欣;喻雙柏;和巍巍;汪之涵 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳基本半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市恒申知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 廖厚琪
地址 518000廣東省深圳市坪山區(qū)坑梓街道辦事處秀新社區(qū)錦繡中路14號(hào)深福?，F(xiàn)代光學(xué)廠區(qū)B棟201
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種復(fù)合場(chǎng)限環(huán)終端結(jié)構(gòu)及制備方法，復(fù)合場(chǎng)限環(huán)終端結(jié)構(gòu)包括元胞區(qū)和元胞區(qū)外圍的終端區(qū)，元胞區(qū)和終端區(qū)包括相同的襯底和在襯底上生長(zhǎng)形成的外延層，在終端區(qū)中，外延層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)設(shè)置有第一場(chǎng)限環(huán)設(shè)計(jì)層和第二場(chǎng)限環(huán)設(shè)計(jì)層，第一場(chǎng)限環(huán)設(shè)計(jì)層和第二場(chǎng)限環(huán)設(shè)計(jì)層呈上下兩層設(shè)置于外延層中，各場(chǎng)限環(huán)設(shè)計(jì)層均包括若干場(chǎng)限環(huán)單元，且第二場(chǎng)限環(huán)設(shè)計(jì)層中各場(chǎng)限環(huán)單元，對(duì)應(yīng)設(shè)置于第一場(chǎng)限環(huán)設(shè)計(jì)層中相鄰場(chǎng)限環(huán)單元之間；本發(fā)明提供的具有體內(nèi)復(fù)合的多段場(chǎng)限環(huán)的終端結(jié)構(gòu)，不僅可以實(shí)現(xiàn)更理想的HTRB可靠性跟良率穩(wěn)定性，還可以實(shí)現(xiàn)更均勻性的電場(chǎng)強(qiáng)度，得到在相同耐壓的條件下更小的環(huán)區(qū)面積，降低芯片成本，提高產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。