一種復(fù)合場限環(huán)終端結(jié)構(gòu)及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111565959.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114335141A 公開（公告）日 2022-04-12
申請公布號 CN114335141A 申請公布日 2022-04-12
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 杜蕾;張學(xué)強;溫正欣;喻雙柏;和巍巍;汪之涵 申請（專利權(quán)）人 深圳基本半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 深圳市恒申知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 廖厚琪
地址 518000廣東省深圳市坪山區(qū)坑梓街道辦事處秀新社區(qū)錦繡中路14號深福?，F(xiàn)代光學(xué)廠區(qū)B棟201
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種復(fù)合場限環(huán)終端結(jié)構(gòu)及制備方法，復(fù)合場限環(huán)終端結(jié)構(gòu)包括元胞區(qū)和元胞區(qū)外圍的終端區(qū)，元胞區(qū)和終端區(qū)包括相同的襯底和在襯底上生長形成的外延層，在終端區(qū)中，外延層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)設(shè)置有第一場限環(huán)設(shè)計層和第二場限環(huán)設(shè)計層，第一場限環(huán)設(shè)計層和第二場限環(huán)設(shè)計層呈上下兩層設(shè)置于外延層中，各場限環(huán)設(shè)計層均包括若干場限環(huán)單元，且第二場限環(huán)設(shè)計層中各場限環(huán)單元，對應(yīng)設(shè)置于第一場限環(huán)設(shè)計層中相鄰場限環(huán)單元之間；本發(fā)明提供的具有體內(nèi)復(fù)合的多段場限環(huán)的終端結(jié)構(gòu)，不僅可以實現(xiàn)更理想的HTRB可靠性跟良率穩(wěn)定性，還可以實現(xiàn)更均勻性的電場強度，得到在相同耐壓的條件下更小的環(huán)區(qū)面積，降低芯片成本，提高產(chǎn)品競爭力。