一種功率半導(dǎo)體器件的場限環(huán)終端結(jié)構(gòu)及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210168633.8 申請日 -
公開（公告）號 CN114725185A 公開（公告）日 2022-07-08
申請公布號 CN114725185A 申請公布日 2022-07-08
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 杜蕾;張學(xué)強(qiáng);喻雙柏;和巍巍;汪之涵 申請（專利權(quán)）人 深圳基本半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市恒申知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 518000廣東省深圳市坪山區(qū)坑梓街道辦事處秀新社區(qū)錦繡中路14號深福?，F(xiàn)代光學(xué)廠區(qū)B棟201
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種功率半導(dǎo)體器件的場限環(huán)終端結(jié)構(gòu)及制備方法，終端結(jié)構(gòu)包括元胞區(qū)和終端區(qū)，其中，元胞區(qū)中遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)設(shè)置有主結(jié)區(qū)，且主結(jié)區(qū)設(shè)置于外延層的表面；終端區(qū)包括若干場限環(huán)以及一個截止環(huán)，截止環(huán)設(shè)置于終端區(qū)遠(yuǎn)離主結(jié)區(qū)的邊緣，若干場限環(huán)依次排列于主結(jié)區(qū)與截止環(huán)之間，且若干場限環(huán)間隔于終端區(qū)的表面設(shè)置；終端區(qū)的表面對應(yīng)于若干場限環(huán)覆蓋有場氧化層，在場氧化層的表面設(shè)置有浮空場板，浮空場板包括對應(yīng)于場限環(huán)的重疊區(qū)域，以及對應(yīng)于相鄰場限環(huán)之間區(qū)域的延伸區(qū)域，延伸區(qū)域用于吸引空穴。本發(fā)明提供的功率半導(dǎo)體器件的場限環(huán)終端結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)更理想的耐壓穩(wěn)定性。