一種溝槽型碳化硅MOSFET器件及其制造方法與應(yīng)用

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210231554.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114744019A 公開（公告）日 2022-07-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN114744019A 申請(qǐng)公布日 2022-07-12
分類號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 溫正欣;和巍巍;汪之涵;張學(xué)強(qiáng);喻雙柏 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳基本半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳新創(chuàng)友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 518000廣東省深圳市坪山區(qū)坑梓街道辦事處秀新社區(qū)錦繡中路14號(hào)深福保現(xiàn)代光學(xué)廠區(qū)B棟201
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種溝槽型碳化硅MOSFET器件及其制造方法與應(yīng)用，所述溝槽型碳化硅MOSFET器件從下到上依次包括n型碳化硅襯底、n型摻雜外延層、n型電流傳輸層；所述n型電流傳輸層頂部?jī)蓚?cè)分別設(shè)有p型基區(qū)，在所述p型基區(qū)內(nèi)側(cè)設(shè)有相鄰的雙溝槽，所述相鄰的雙溝槽中間從上而下依次設(shè)有n型源區(qū)和p型溝道區(qū)；所述相鄰的雙溝槽內(nèi)部均從上而下依次填充柵極和分裂柵，且所述柵極和所述分裂柵之間通過(guò)介質(zhì)層隔開。