一種SiCLDMOS器件及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111129313.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113782611B 公開（公告）日 2022-06-14
申請公布號 CN113782611B 申請公布日 2022-06-14
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I;H01L21/04（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 杜蕾;和巍巍;汪之涵;喻雙柏;張振中 申請（專利權(quán)）人 深圳基本半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市恒申知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 518000廣東省深圳市坪山區(qū)坑梓街道辦事處秀新社區(qū)錦繡中路14號深福?，F(xiàn)代光學(xué)廠區(qū)B棟201
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┝艘环NSiC LDMOS器件及其制作方法。其中，SiC LDMOS器件包括SiC襯底、P阱區(qū)、N阱區(qū)、源區(qū)P+、源區(qū)N+、漏區(qū)N+、柵氧化層、多晶硅柵和SiN場氧層，SiN場氧層覆于SiC襯底與N阱區(qū)對應(yīng)的表面，SiN場氧層靠近源區(qū)N+的邊緣與N阱區(qū)靠近源區(qū)N+的邊緣對齊，SiN場氧層靠近漏區(qū)N+的一側(cè)具有斜面，SiN場氧層靠近漏區(qū)N+的邊緣與漏區(qū)N+靠近源區(qū)N+的邊緣對齊，柵氧化層覆于SiC襯底未覆有SiN場氧層的表面，多晶硅柵覆于柵氧化層與P阱區(qū)對應(yīng)的表面，多晶硅柵靠近漏區(qū)N+的邊緣與SiN場氧層靠近源區(qū)N+的邊緣相接，多晶硅柵遠(yuǎn)離漏區(qū)N+的一側(cè)與源區(qū)N+靠近漏區(qū)N+的一側(cè)交疊。本申請能夠?qū)崿F(xiàn)更小的Cgd，甚至能夠完全消除Cgd，進(jìn)而能夠有效地提升LDMOS器件的開關(guān)頻率和性能。