一種復(fù)合燒結(jié)片及其制備和在芯片互連封裝中的應(yīng)用
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210174437.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114709184A | 公開（公告）日 | 2022-07-05 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114709184A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-07-05 |
| 分類號(hào) | H01L23/492（2006.01）I;H01L21/48（2006.01）I;H01L21/603（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 唐宏浩;和巍巍;汪之涵;鄭澤東;陳霏;周福鳴 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 深圳基本半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市恒申知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 518000廣東省深圳市坪山區(qū)坑梓街道辦事處秀新社區(qū)錦繡中路14號(hào)深福?，F(xiàn)代光學(xué)廠區(qū)B棟201 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)通過將錫涂覆在泡沫銅的表面，得到了一種復(fù)合燒結(jié)片，該復(fù)合燒結(jié)片包括片狀泡沫銅和涂覆在所述泡沫銅表面的錫涂層，且泡沫銅的孔隙率≥90％，錫涂層與所述泡沫銅的質(zhì)量比為0.5～2.0。本申請(qǐng)還涉及一種芯片互連封裝方法，該方法利用所述復(fù)合燒結(jié)片，經(jīng)瞬時(shí)液相燒結(jié)技術(shù)成功地實(shí)現(xiàn)了基板和芯片之間的有效互連。由于泡沫銅的多孔結(jié)構(gòu)以及Cu本身的性質(zhì)，本發(fā)明的復(fù)合燒結(jié)片能夠在低溫下完成燒結(jié)，并且燒結(jié)所得互連結(jié)構(gòu)能夠在高溫條件下工作。 |
