卷對卷石墨烯薄膜連續(xù)生長設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610506736.5 申請日 -
公開（公告）號 CN105908149B 公開（公告）日 2018-12-14
申請公布號 CN105908149B 申請公布日 2018-12-14
分類號 C23C16/26;C23C16/54 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 張海林;滕玉鵬 申請（專利權(quán)）人 賽瑞達智能電子裝備（無錫）股份有限公司
代理機構(gòu) 青島聯(lián)信知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 青島賽瑞達電子科技有限公司
地址 214000 江蘇省無錫市錫山區(qū)芙蓉中三路99號瑞云6座1樓東三個逗號眾創(chuàng)空間
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種卷對卷石墨烯薄膜連續(xù)生長設(shè)備，包括置料真空腔室、加熱真空腔室、和加熱裝置，所述置料真空腔室設(shè)置有兩個，所述加熱真空腔室位于加熱裝置內(nèi)，兩端伸出并與對應(yīng)的置料真空腔室設(shè)置的連通口相連通，所述置料真空腔室內(nèi)安裝有置料輥和輸送輔助裝置，所述輸送輔助裝置位于對應(yīng)置料輥內(nèi)側(cè)，并與連通口對齊，所述輸送輔助裝置為上下相對設(shè)置并且相互嚙合的兩個壓輥。卷對卷石墨烯薄膜連續(xù)生長設(shè)備將位于一端的置料真空腔室的銅箔通過加熱真空腔室輸送到另一端的置料真空腔室中，期間通過加熱和反應(yīng)氣體，在銅箔上生長石墨烯薄膜，無須射頻等離子體發(fā)生器，節(jié)能安全。輸送輔助裝置從兩端將銅箔固定，使其不會受到對應(yīng)置料輥上銅箔粗細的影響，使加熱真空腔室內(nèi)的銅箔始終保持水平，保證其與反應(yīng)氣體充分接觸，提高石墨烯生產(chǎn)質(zhì)量。