體聲波諧振器
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202023083463.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN213693649U | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-07-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN213693649U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-13 |
| 分類(lèi)號(hào) | H03H9/54（2006.01）I;H03H9/15（2006.01）I;H03H9/02（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電子電路; |
| 發(fā)明人 | 黃韋勝 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 武漢衍熙微器件有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 張曉薇 |
| 地址 | 430000湖北省武漢市江夏區(qū)經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)藏龍島梁山頭村惠風(fēng)同慶花園一期G17-S棟1-2層6室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種體聲波諧振器。所述體聲波諧振器包括襯底，以及依次層疊設(shè)于所述襯底上的反射結(jié)構(gòu)、種子層、底電極、壓電層和頂電極；所述體聲波諧振器包括諧振區(qū)，以及位于所述諧振區(qū)兩側(cè)的第一非諧振區(qū)和第二非諧振區(qū)，所述底電極位于所述第一非諧振區(qū)和所述諧振區(qū)，所述頂電極位于所述諧振區(qū)和所述第二非諧振區(qū)，所述種子層在所述第一非諧振區(qū)和所述諧振區(qū)的厚度大于在所述第二非諧振區(qū)的厚度。本實(shí)用新型能夠提升諧振器的品質(zhì)因子和機(jī)電耦合系數(shù)，提升諧振器的整體良率。 |
