一種高靈活度的熔絲修調(diào)電路及其使用方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201710389026.3 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN107169219A | 公開(公告)日 | 2017-09-15 |
申請公布號 | CN107169219A | 申請公布日 | 2017-09-15 |
分類號 | G06F17/50;H03K19/0948 | 分類 | 計算;推算;計數(shù); |
發(fā)明人 | 方海燕 | 申請(專利權(quán))人 | 北京伽略電子股份有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京君智知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 邢大文 |
地址 | 100081 北京市海淀區(qū)區(qū)中關(guān)村南大街12號23號樓4層 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種高靈活度的熔絲修調(diào)電路,所述熔絲修調(diào)電路包括修調(diào)控制電路、熔絲控制電路、電流熔斷熔絲、輸出驅(qū)動器和SRAM靜態(tài)存儲單元;所述熔絲控制電路由熔斷電流控制管M1和恒流源I1構(gòu)成,恒流源I1連接芯片電源與電流熔斷熔絲;修調(diào)控制電路的另一個輸出端與SRAM靜態(tài)存儲單元連接;輸出驅(qū)動器由多路選擇器構(gòu)成,其輸入端分別連接SRAM靜態(tài)存儲單元的輸出端和所述電流熔斷熔絲。本發(fā)明的熔絲修調(diào)電路通過SRAM靜態(tài)存儲單元的設(shè)置,實現(xiàn)在模擬修調(diào)階段以SRAM輸出代替熔絲動作,實現(xiàn)多次編程,有效提高修調(diào)電路靈活性和修調(diào)精度。 |
