一種具有雙提拉副室的單晶硅生長(zhǎng)爐
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202121407421.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN216919483U | 公開（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN216919483U | 申請(qǐng)公布日 | 2022-07-08 |
| 分類號(hào) | C30B29/06（2006.01）I;C30B15/02（2006.01）I;C30B15/14（2006.01）I;C30B15/00（2006.01）I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 李小鋒;逯占文;曹玉寶;李萬朋 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 連城凱克斯科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 無錫蘇元專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 214000江蘇省無錫市錫山區(qū)錫北涇虹路15 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供了一種具有雙提拉副室的單晶硅生長(zhǎng)爐，包括支架上端設(shè)置的單晶爐主體，單晶爐主體旁側(cè)設(shè)置有立柱，立柱上部側(cè)面設(shè)置有第一旋轉(zhuǎn)升降裝置和第二旋轉(zhuǎn)升降裝置，第一旋轉(zhuǎn)升降裝置連接有長(zhǎng)晶副室，第二旋轉(zhuǎn)升降裝置連接有加料副室；長(zhǎng)晶副室頂部設(shè)置有第一提拉裝置，長(zhǎng)晶副室中部設(shè)置有加熱裝置；加料副室頂部設(shè)置有第二提拉裝置，第二提拉裝置連接有加料器。本實(shí)用新型提供的具有雙提拉副室的單晶硅生長(zhǎng)爐，采用生長(zhǎng)晶體時(shí)同步冷卻及生長(zhǎng)晶體收尾后預(yù)加熱兩種手段，縮短晶體冷卻等待時(shí)間，采用雙提拉副室分別完成生長(zhǎng)和加料工作，加料準(zhǔn)備不會(huì)額外增加時(shí)間，與傳統(tǒng)方法相比，具有加料整體用時(shí)短、加料穩(wěn)定可靠、設(shè)備成本低的特點(diǎn)。 |
