一種連續(xù)直拉單晶硅的制備方法及其產(chǎn)品

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210242601.8 申請日 -
公開（公告）號 CN114703541A 公開（公告）日 2022-07-05
申請公布號 CN114703541A 申請公布日 2022-07-05
分類號 C30B15/20（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 劉海;彭亦奇;周子義 申請（專利權(quán)）人 連城凱克斯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 214000江蘇省無錫市錫山區(qū)錫北涇虹路15
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種連續(xù)直拉單晶硅的制備方法及其產(chǎn)品，屬于光伏與半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明通過將坩堝內(nèi)的硅原料加熱熔融，再利用直拉單晶法進(jìn)行單晶硅的生長；在單晶硅生長過程中，控制加料裝置通過下料管向坩堝內(nèi)持續(xù)添加硅原料，并利用高純氬氣輔助吹掃所述硅原料，使得硅原料落入坩堝內(nèi)；在生長結(jié)束后，停止添加硅原料，將生長完成的單晶硅冷卻后拆爐取出，得到單晶硅。本發(fā)明利用連續(xù)直拉法制備單晶硅，在進(jìn)行單晶硅晶體生長的同時，持續(xù)向反應(yīng)爐腔中添加硅原料，并利用高純氬氣持續(xù)吹掃下料管道，促使所述硅原料從下料管道落入反應(yīng)坩堝內(nèi)，避免了硅原料在管道中融化堵塞，提升了加料系統(tǒng)的穩(wěn)定性。