NorFlash編程方法、建模方法及存算一體芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910407917.6 申請日 -
公開（公告）號 CN111951858B 公開（公告）日 2021-09-17
申請公布號 CN111951858B 申請公布日 2021-09-17
分類號 G11C16/10（2006.01）I;G11C16/14（2006.01）I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 王紹迪 申請（專利權(quán)）人 北京知存科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 100083北京市海淀區(qū)學院路35號世寧大廈1707
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種Nor Flash編程方法、建模方法及存算一體芯片，該方法包括：判斷該閃存單元的目標電流與所述當前電流的差值的絕對值是否大于預設閾值；若是，判斷所述當前電流是否大于所述目標電流；若所述當前電流大于所述目標電流，根據(jù)所述當前電流、所述目標電流以及寫入電壓模型得到寫入電壓，并控制編程電路將所述寫入電壓施加至該閃存單元；若所述當前電流小于所述目標電流，根據(jù)所述當前電流、所述目標電流以及擦除電壓模型得到擦除電壓，并控制編程電路將所述擦除電壓施加至該閃存單元，即：利用寫入電壓模型或擦除電壓模型直接獲取到寫入電壓或擦除電壓，省去了更新?校驗的反復迭代過程。