一種CVD金剛石生長基片臺(tái)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110466092.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113174590B 公開（公告）日 2022-02-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN113174590B 申請(qǐng)公布日 2022-02-11
分類號(hào) C23C16/458（2006.01）I;C23C16/27（2006.01）I;C23C16/52（2006.01）I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 龔闖;朱長征;吳劍波;蔣梅榮 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海征世科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海邦德專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 袁步蘭
地址 201799上海市青浦區(qū)華浦路500號(hào)2幢西側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種CVD金剛石生長基片臺(tái)，包括臺(tái)殼、冷卻水管路、溫度識(shí)別組件，臺(tái)殼上表面為臺(tái)面，臺(tái)面上放置金剛石基片，臺(tái)面分為若干個(gè)分區(qū)，每個(gè)分區(qū)內(nèi)設(shè)置冷水槽，每個(gè)冷水槽通入獨(dú)立控制流量的冷卻水管路，溫度識(shí)別組件識(shí)別每個(gè)分區(qū)的溫度并調(diào)配該分區(qū)內(nèi)冷卻水管路的流量?；_(tái)上方的等離子體進(jìn)行氣相沉積時(shí)，基片上不同的區(qū)域存在不同的溫度，臺(tái)面上進(jìn)行區(qū)域細(xì)分，每個(gè)分區(qū)分別檢測(cè)該區(qū)溫度并調(diào)配該分區(qū)的冷卻水流量，可以為不同的區(qū)域提供獨(dú)立的冷量控制，高溫區(qū)域通入更多冷卻水，從而達(dá)到整個(gè)基片臺(tái)溫度趨向均勻的目的，提高金剛石膜成膜質(zhì)量，厚薄均勻，無應(yīng)力。