一種改善氣體分布的沉積室及MPCVD裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110418314.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113186517B 公開（公告）日 2022-03-08
申請公布號 CN113186517B 申請公布日 2022-03-08
分類號 C23C16/511（2006.01）I;C23C16/27（2006.01）I;C23C16/52（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 龔闖;朱長征;吳劍波;蔣梅榮 申請（專利權(quán)）人 上海征世科技股份有限公司
代理機構(gòu) 上海邦德專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 袁步蘭
地址 201799上海市青浦區(qū)華浦路500號2幢西側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種改善氣體分布的沉積室及MPCVD裝置，包括殼體、微波導(dǎo)向天線、基片、上磁板、下磁板，殼體側(cè)壁分別設(shè)置進氣口和廢料口，沉積氣體從進氣口進入殼體，外界從廢料口對殼體內(nèi)部抽真空，上磁板水平設(shè)置在殼體內(nèi)部的中間位置，下磁板設(shè)置在殼體內(nèi)的底部，基片放置在下磁板上，微波導(dǎo)向天線從殼體頂部插入殼體內(nèi)，微波導(dǎo)向天線向殼體內(nèi)導(dǎo)入微波，微波在基片上方激發(fā)等離子體，上磁板和下磁板相面對的區(qū)域磁性相反形成豎直分布的磁感線，在基片水平面上磁感線至少包括第一磁區(qū)，第一磁區(qū)磁感線繞一豎直軸線旋轉(zhuǎn)，第一磁區(qū)的旋轉(zhuǎn)中心線位于基片范圍內(nèi)，第一磁區(qū)的邊沿與基片邊沿相切。