半導體器件的形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010149007.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113363149A 公開（公告）日 2021-09-07
申請公布號 CN113363149A 申請公布日 2021-09-07
分類號 H01L21/3065 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張海洋;紀世良;劉盼盼 申請（專利權）人 中芯國際集成電路制造（深圳）有限公司
代理機構(gòu) 上海德禾翰通律師事務所 代理人 侯莉
地址 518118 廣東省深圳市坪山新區(qū)出口加工區(qū)高芯路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導體器件的形成方法，包括：提供初始化結(jié)構(gòu)，使電感耦合等離子體裝置分別輸出第一功率、第二功率和第三功率，以在光刻膠圖案的側(cè)壁、光刻膠圖案的頂部、光刻膠圖案之間的待刻蝕層上形成保護層；然后去除光刻膠圖案的頂部、以及光刻膠圖案之間的掩膜材料層上的保護層，以在光刻膠圖案的兩側(cè)形成側(cè)墻；并以側(cè)墻為掩膜去除側(cè)墻之間的部分掩膜材料層；重復依次輸出第一功率、第二功率和第三功率，形成目標結(jié)構(gòu)。采用上述方案，不會出現(xiàn)因工藝窗口較小而造成的最終形成的目標結(jié)構(gòu)偏離預設的位置或者小于預設的尺寸的情況；且輸出三種功率多次刻蝕能夠避免目標結(jié)構(gòu)厚度不均勻的情況。