半導體器件及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010415443.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113675091A 公開（公告）日 2021-11-19
申請公布號 CN113675091A 申請公布日 2021-11-19
分類號 H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 紀世良;劉盼盼;張海洋 申請（專利權(quán)）人 中芯國際集成電路制造（深圳）有限公司
代理機構(gòu) 上海德禾翰通律師事務(wù)所 代理人 侯莉
地址 518118廣東省深圳市坪山新區(qū)出口加工區(qū)高芯路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種半導體器件及其形成方法，其中方法包括：形成初始化結(jié)構(gòu)，并在偽柵極、初始柵氧化層和半導體襯底的夾角處形成拐角；移除鰭部的側(cè)壁上的拐角在鰭部的投影區(qū)域以外的初始柵氧化層，以及移除鰭部的側(cè)壁上的拐角在鰭部的投影區(qū)域內(nèi)的部分初始柵氧化層，以形成初始柵氧化層余留部，且在拐角與鰭部之間形成凹陷區(qū)；在偽柵極和鰭部的側(cè)壁上、以及拐角的側(cè)壁上形成側(cè)墻；在側(cè)墻周側(cè)的半導體襯底上形成介質(zhì)層，及在鰭部的頂部形成外延層；移除偽柵極、拐角以及初始柵氧化層余留部形成柵極溝槽；在柵極溝槽內(nèi)沉積柵極材料以形成柵極結(jié)構(gòu)。上述方法形成的柵極溝槽的尺寸更小，避免了因柵極溝槽尺寸增大使得柵極結(jié)構(gòu)尺寸增大的問題。