MRAM器件及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010235486.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113471245A 公開（公告）日 2021-10-01
申請公布號 CN113471245A 申請公布日 2021-10-01
分類號 H01L27/22（2006.01）I;H01L43/08（2006.01）I;H01L43/12（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊成成;王百錢;何其暘;黃敬勇 申請（專利權）人 中芯國際集成電路制造（深圳）有限公司
代理機構 上海德禾翰通律師事務所 代理人 侯莉
地址 518118廣東省深圳市坪山新區(qū)出口加工區(qū)高芯路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種MRAM器件及其形成方法，所述方法包括：提供基底；在所述基底上形成底部材料層和位于所述底部材料層上的磁隧道結材料層；圖形化所述磁隧道結材料層并停止于所述底部材料層，使磁隧道結材料層形成磁隧道結結構；在所述磁隧道結結構的側部的底部材料層上形成第一介質(zhì)層；在所述第一介質(zhì)層上以及所述磁隧道結結構上形成頂部電極材料層；刻蝕所述頂部電極材料層、第一介質(zhì)層和底部材料層，形成位于磁隧道結結構上的頂部電極層和位于磁隧道結結構底部的底部電極層。上述的方案，可以避免沉積于勢壘層側壁的磁性材料與勢壘層直接接觸，避免引起短路，故可以提高MRAM器件的性能。