半導體器件及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010190883.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113496948A 公開（公告）日 2021-10-12
申請公布號 CN113496948A 申請公布日 2021-10-12
分類號 H01L21/8234（2006.01）I;H01L27/088（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張海洋;紀世良;劉盼盼 申請（專利權）人 中芯國際集成電路制造（深圳）有限公司
代理機構 上海德禾翰通律師事務所 代理人 侯莉
地址 518118廣東省深圳市坪山新區(qū)出口加工區(qū)高芯路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種半導體器件及其形成方法，該半導體器件的形成方法包括：在第一區(qū)、第二區(qū)和切割區(qū)上形成橫跨鰭部的初始柵極結(jié)構；在初始柵極結(jié)構上形成具有掩模開口的掩膜層，掩模開口還延伸至與切割區(qū)相鄰的鰭部上；以掩膜層為掩膜刻蝕掩模開口底部的部分初始柵極結(jié)構,以形成初始溝槽；在初始溝槽的側(cè)壁形成側(cè)墻；以側(cè)墻和掩膜層為掩膜刻蝕初始溝槽底部的初始柵極結(jié)構，以使初始溝槽形成柵極切割溝槽，柵極切割溝槽將初始柵極結(jié)構分割為位于柵極切割溝槽兩側(cè)的柵極結(jié)構。采用上述方案，利用具有掩模開口的掩膜層限制初始溝槽的位置，利用側(cè)墻限制柵極切割溝槽的位置，柵極切割溝槽不會發(fā)生位移，對兩側(cè)鰭部的應力相等，半導體器件的性能更好。