半導(dǎo)體器件的形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010253527.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113496942A 公開（公告）日 2021-10-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN113496942A 申請(qǐng)公布日 2021-10-12
分類號(hào) H01L21/768（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李強(qiáng) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中芯國(guó)際集成電路制造（深圳）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海德禾翰通律師事務(wù)所 代理人 侯莉
地址 518118廣東省深圳市坪山新區(qū)出口加工區(qū)高芯路18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括接觸區(qū)和非接觸區(qū)；在所述基底上形成過渡層；對(duì)接觸區(qū)上的所述過渡層進(jìn)行改性處理，使接觸區(qū)上過渡層的材料致密度小于非接觸區(qū)上過渡層的材料致密度；進(jìn)行改性處理之后，在所述過渡層上形成層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層中具有開口，所述開口暴露出接觸區(qū)上的所述過渡層；采用濕法刻蝕工藝刻蝕去除所述開口底部的所述過渡層。上述的方案，易于快速去除接觸區(qū)上過渡層，對(duì)開口暴露出的非接觸區(qū)的過渡層的側(cè)壁的刻蝕損耗較小，因此避免刻蝕過程的底切效應(yīng)，提高半導(dǎo)體器件的性能。