無機(jī)薄膜吸收層太陽能電池

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010167787.2 申請日 -
公開（公告）號 CN102244115A 公開（公告）日 2011-11-16
申請公布號 CN102244115A 申請公布日 2011-11-16
分類號 H01L31/042(2006.01)I;H01L31/036(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0264(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 葉榮華;邢志青;吳海濤 申請（專利權(quán)）人 濟(jì)南創(chuàng)客藥谷生物醫(yī)藥產(chǎn)業(yè)發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) 濟(jì)南誠智商標(biāo)專利事務(wù)所有限公司 代理人 濟(jì)南光中新能源科技開發(fā)有限公司
地址 250101 山東省濟(jì)南市歷下區(qū)(高新區(qū))正豐路554號環(huán)?？萍紙@8號樓229室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 無機(jī)薄膜吸收層太陽能電池，涉及太陽能電池領(lǐng)域，它包括n型半導(dǎo)體多孔層、半導(dǎo)體吸光層和p型半導(dǎo)體層，所述的n型半導(dǎo)體多孔層為單晶結(jié)構(gòu)，采用垂直有序的ZnO納米棒陣列薄膜，所述ZnO納米棒直徑為50-100納米，棒間距應(yīng)為80-150納米，棒長度100納米-10微米；所述的半導(dǎo)體吸光層用CuInS2或CuInSe2厚度15-25納米間，厚度均勻；所述的p型半導(dǎo)體層為CuSCN致密化填充。本發(fā)明是在DSC電池的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的一類新電池，它兼具染料敏化太陽電池的電荷傳輸路徑短、原材料成本低、設(shè)備和制造過程簡單的優(yōu)勢，兼具傳統(tǒng)電池的堅固耐用、易于模塊化制備的優(yōu)勢，為太陽電池的發(fā)展提供了新途徑。