氮化鉭薄膜電阻及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011367144.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112562946B 公開（公告）日 2022-01-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN112562946B 申請(qǐng)公布日 2022-01-04
分類號(hào) H01C7/00（2006.01）I;H01C17/12（2006.01）I;H01C17/075（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄒鵬輝;馬飛;莫炯炯;蔡全福;魏婷婷 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江集邁科微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 余明偉
地址 313100浙江省湖州市長(zhǎng)興縣經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)陳王路與太湖路交叉口長(zhǎng)興國(guó)家大學(xué)科技園二分部北園8號(hào)廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種氮化鉭薄膜電阻及其制備方法，通過(guò)在同一機(jī)臺(tái)中，采用磁控濺射法形成依次堆疊的氮化鉭層及鈍化層的復(fù)合結(jié)構(gòu)，從而通過(guò)鈍化層可對(duì)氮化鉭層進(jìn)行保護(hù)，避免氮化鉭層與外界環(huán)境接觸，以使得氮化鉭層具有良好的阻值穩(wěn)定性；進(jìn)一步的，當(dāng)鈍化層采用導(dǎo)電層時(shí)，通過(guò)鈍化層即可實(shí)現(xiàn)氮化鉭層與電極的互連，從而在整個(gè)制備工藝中，均可實(shí)現(xiàn)鈍化層對(duì)氮化鉭層的覆蓋，以有效實(shí)現(xiàn)對(duì)氮化鉭層的保護(hù)，以進(jìn)一步的提高氮化鉭層的阻值穩(wěn)定性，以便制備高穩(wěn)定性及一致性的氮化鉭薄膜電阻。