歐姆接觸GaN器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111480159.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113889412B 公開（公告）日 2022-02-22
申請公布號 CN113889412B 申請公布日 2022-02-22
分類號 H01L21/335（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I;H01L29/45（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄒鵬輝;王文博;馬飛;李哲 申請（專利權）人 浙江集邁科微電子有限公司
代理機構 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 盧炳瓊
地址 313100浙江省湖州市長興縣經濟技術開發(fā)區(qū)陳王路與太湖路交叉口長興國家大學科技園二分部北園8號廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種歐姆接觸GaN器件及其制備方法，先形成具有傾斜側壁的光刻膠層，而后采用ICP刻蝕法圖形化SiN鈍化層，形成具有傾斜側壁的SiN鈍化層，而后進行離子注入在外延結構中形成貫穿AlGaN勢壘層且底部延伸至GaN層中的源極區(qū)及漏極區(qū)，且源極區(qū)及漏極區(qū)的摻雜濃度均呈高斯分布，之后采用ICP刻蝕法，圖形化AlGaN勢壘層及GaN層，形成具有傾斜側壁的GaN層，且顯露中心摻雜區(qū)，再形成與中心摻雜區(qū)對應接觸的源金屬電極及漏金屬電極，以及貫穿SiN鈍化層與AlGaN勢壘層接觸的柵極金屬電極，從而在離子注入的基礎上，即可優(yōu)化歐姆接觸，同時還可把歐姆接觸電極作為垂直場板，以提升GaN器件的耐壓性能。