GaN基HEMT器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111344640.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113793805B 公開（公告）日 2022-02-11
申請公布號 CN113793805B 申請公布日 2022-02-11
分類號 H01L21/335（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L23/373（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王文博;程永健;李家輝;鄒鵬輝;李哲 申請（專利權(quán)）人 浙江集邁科微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 盧炳瓊
地址 313100浙江省湖州市長興縣經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)陳王路與太湖路交叉口長興國家大學(xué)科技園二分部北園8號廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種GaN基HEMT器件及其制備方法，在襯底上先形成外延結(jié)構(gòu)及SiN鈍化保護(hù)層，而后形成源極區(qū)及漏極區(qū)，及對應(yīng)的源電極及漏電極，之后去除SiN鈍化保護(hù)層，并進(jìn)行表面清洗后，再采用原子層沉積及等離子退火工藝形成單晶AlN勢壘層，以調(diào)制GaN溝道內(nèi)二維電子氣，同時(shí)在AlGaN勢壘層內(nèi)形成區(qū)域性薄層附屬溝道，以提高器件整體線性度，且在同一沉積腔內(nèi)采用原子層沉積在單晶AlN勢壘層上形成非晶AlN鈍化保護(hù)層，由于采用連續(xù)原位原子層沉積單晶和非晶AlN層，可以提高晶體/非晶AlN的界面質(zhì)量，以優(yōu)化器件Pulse?IV特性，且AlN層的高熱導(dǎo)率，較好的散熱性，還可以提高器件整體散熱性能。