一種針對射頻芯片熱集中點的三維堆疊散熱模組制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010587711.9 申請日 -
公開（公告）號 CN111653491B 公開（公告）日 2021-12-17
申請公布號 CN111653491B 申請公布日 2021-12-17
分類號 H01L21/50（2006.01）I;H01L21/48（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L23/473（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馮光建 申請（專利權(quán)）人 浙江集邁科微電子有限公司
代理機構(gòu) 杭州天昊專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 董世博
地址 313100浙江省湖州市長興縣經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)陳王路與太湖路交叉口長興國家大學科技園二分部北園8號廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種針對射頻芯片熱集中點的三維堆疊散熱模組制作方法，具體包括如下步驟：101）上散熱底座制作步驟、102）散熱底座制作步驟、103）芯片集成步驟；本發(fā)明通過在芯片底部設(shè)置散熱微流通道做散熱器，同時在芯片發(fā)熱點位置或附近區(qū)域分布設(shè)置加裝二次散熱微流通道，使該區(qū)域熱量能夠更快的被散熱流體帶走，避免了熱點因為熱量較大而導致芯片失效的問題的一種針對射頻芯片熱集中點的三維堆疊散熱模組制作方法。