一種針對(duì)射頻芯片熱集中點(diǎn)的三維堆疊散熱模組制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010587711.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111653491B 公開（公告）日 2021-12-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN111653491B 申請(qǐng)公布日 2021-12-17
分類號(hào) H01L21/50（2006.01）I;H01L21/48（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L23/473（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馮光建 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江集邁科微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州天昊專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 董世博
地址 313100浙江省湖州市長興縣經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)陳王路與太湖路交叉口長興國家大學(xué)科技園二分部北園8號(hào)廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種針對(duì)射頻芯片熱集中點(diǎn)的三維堆疊散熱模組制作方法，具體包括如下步驟：101）上散熱底座制作步驟、102）散熱底座制作步驟、103）芯片集成步驟；本發(fā)明通過在芯片底部設(shè)置散熱微流通道做散熱器，同時(shí)在芯片發(fā)熱點(diǎn)位置或附近區(qū)域分布設(shè)置加裝二次散熱微流通道，使該區(qū)域熱量能夠更快的被散熱流體帶走，避免了熱點(diǎn)因?yàn)闊崃枯^大而導(dǎo)致芯片失效的問題的一種針對(duì)射頻芯片熱集中點(diǎn)的三維堆疊散熱模組制作方法。