一種射頻模組散熱工藝
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010855285.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111968919B | 公開（公告）日 | 2022-02-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111968919B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-02-25 |
| 分類號(hào) | H01L21/48（2006.01）I;H01L23/473（2006.01）I;H05K3/30（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 馮光建;高群;黃雷;顧毛毛;郭西 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 浙江集邁科微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 無(wú)錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 曹祖良 |
| 地址 | 313100浙江省湖州市長(zhǎng)興縣經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)陳王路與太湖路交叉口長(zhǎng)興國(guó)家大學(xué)科技園二分部北園8號(hào)廠房 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種射頻模組散熱工藝，包括以下步驟：（a）、提供襯底，襯底正面形成側(cè)壁焊盤，制作TSV導(dǎo)電柱、RDL和互聯(lián)焊盤；（b）、在襯底背面形成側(cè)壁焊盤，形成第二襯底；（c）、在襯底背面干法刻蝕凹槽，使TSV導(dǎo)電柱頂部金屬露出，形成第三襯底；（d）、在第三襯底背面凹槽嵌入芯片，在第三襯底背面制作RDL和互聯(lián)焊盤，形成第四襯底；（e）、提供PCB板和散熱導(dǎo)管，切割第四襯底成單一模組，在模組背面貼裝散熱導(dǎo)管，將模組的側(cè)壁焊盤和PCB板一側(cè)的互聯(lián)焊盤做貼片，散熱導(dǎo)管內(nèi)充入循環(huán)液體做散熱，得到具有散熱能力的射頻模組。本發(fā)明的射頻模組散熱工藝，既能實(shí)現(xiàn)高可靠性的散熱功能，還能有助于模組的穩(wěn)定焊接。 |
