一種低ESR雙焊片MKPH-S型IGBT電容器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202023137953.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN213958790U 公開（公告）日 2021-08-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN213958790U 申請(qǐng)公布日 2021-08-13
分類號(hào) H01G4/228（2006.01）I;H01G4/224（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 謝志懋;鄔文彬 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 佛山市欣源電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市蘭鋒盛世知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 羅炳鋒
地址 528000廣東省佛山市南海區(qū)西樵科技工業(yè)園內(nèi)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供一種低ESR雙焊片MKPH?S型IGBT電容器，包括外殼，所述外殼的內(nèi)表面固定連接有接線端子，且外殼的底端端面固定連接有底墊，所述接線端子包括有長(zhǎng)板，所述長(zhǎng)板的右端端面固定連接有豎直板，所述豎直板的外表面固定連接有上焊片，且豎直板的外表面下方位置處固定連接有下焊片,本實(shí)用新型可使電容器噴金層與銅焊片的接觸電阻降低一倍以上，從而達(dá)到降低電容器ESR提高IGBT吸收電容的吸收效果，進(jìn)一步提高在電路中對(duì)IGBT管的保護(hù)效果，減少IGBT管應(yīng)用中損壞，同時(shí)在使用時(shí)接線端子1具有良好的導(dǎo)電性可優(yōu)秀的完成工作需求。