一種低功耗X2抗干擾抑制薄膜電容器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202023130278.0 申請日 -
公開（公告）號 CN213958786U 公開（公告）日 2021-08-13
申請公布號 CN213958786U 申請公布日 2021-08-13
分類號 H01G4/224（2006.01）I;H01G2/22（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 謝志懋;鄔文彬 申請（專利權(quán)）人 佛山市欣源電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市蘭鋒盛世知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 羅炳鋒
地址 528000廣東省佛山市南海區(qū)西樵科技工業(yè)園內(nèi)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供一種低功耗X2抗干擾抑制薄膜電容器，涉及電容器領(lǐng)域，包括外殼，所述纏繞層的中部連接有金屬鍍膜處理層。本實(shí)用新型中，通過時效處理工藝，將屏蔽帶所產(chǎn)生的留邊上殘存少量的屏蔽油處理掉，通過溫度50℃±5℃，濕度≤20%，時間30H±6H，使金屬化膜內(nèi)部的晶體結(jié)構(gòu)更趨于穩(wěn)定，內(nèi)部的多余油漬提前揮發(fā)沉積，在后續(xù)的生產(chǎn)過程不會由于其他各方面的因素而導(dǎo)致內(nèi)部晶體結(jié)構(gòu)變化。所以，經(jīng)過此工藝處理后的薄膜它的性能更加優(yōu)越，有效降低電容器的功耗。