真空腔室及其壓力控制方法以及半導(dǎo)體處理設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110222986.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113035748A 公開（公告）日 2021-06-25
申請公布號 CN113035748A 申請公布日 2021-06-25
分類號 H01L21/67;H01L21/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 萬飛華;徐春陽 申請（專利權(quán)）人 楚赟精工科技（上海）有限公司
代理機構(gòu) 上海恒銳佳知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 黃海霞
地址 201210 上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗區(qū)張江路665號3層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種真空腔室，包括內(nèi)腔，設(shè)有至少一個內(nèi)腔進氣管和至少一個內(nèi)腔出氣管；外腔，套設(shè)于內(nèi)腔，設(shè)有至少一個外腔進氣管和至少一個外腔出氣管；腔門組件，位于外腔和內(nèi)腔的至少一端部；第一供氣組件，與內(nèi)腔進氣管連接；第二供氣組件，與外腔進氣管連接；排氣組件，包括負壓供給系統(tǒng)，連接內(nèi)腔出氣管和外腔出氣管；密封組件，設(shè)于外腔與內(nèi)腔之間；壓力控制組件，控制第一供氣組件、第二供氣組件和排氣組件，使內(nèi)腔與外腔的壓差保持在一個安全范圍內(nèi)，保護易碎或不耐壓的內(nèi)腔腔體，并且不受石英加工技術(shù)限制，實現(xiàn)大尺寸耐腐蝕高溫真空腔室的應(yīng)用。本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體處理設(shè)備和一種真空腔室的壓力控制方法。