不加反并聯(lián)續(xù)流二極管的全SiC功率模塊

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111638449.7 申請日 -
公開（公告）號 CN114465455A 公開（公告）日 2022-05-10
申請公布號 CN114465455A 申請公布日 2022-05-10
分類號 H02M1/088（2006.01）I;H01L25/18（2006.01）I;H02M7/487（2007.01）I 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 盧嵩岳;林少峰;陳永華;江天;張虹朗 申請（專利權）人 廈門三優(yōu)光電股份有限公司
代理機構 廈門市天富勤知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 -
地址 361000福建省廈門市火炬高新區(qū)創(chuàng)業(yè)園偉業(yè)樓N505室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種不加反并聯(lián)續(xù)流二極管的全SiC功率模塊，4組MOSFET并聯(lián)組由七片SiC MOSFET裸片并聯(lián)組成，2組SiC SDB并聯(lián)組由5片SiC SDB裸片并聯(lián)；采用上述方案后，本發(fā)明模塊采用全SiC芯片，損耗降低30％以上，最高工作溫度提高25℃以上，同時降低了全SiC模塊的材料成本，使得整體成本與增加反并聯(lián)續(xù)流二極管的全SiC功率模塊相比降低30％以上。