一種激光器芯片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110294557.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113113839A 公開(kāi)（公告）日 2021-07-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN113113839A 申請(qǐng)公布日 2021-07-13
分類號(hào) H01S5/042（2006.01）I;H01S5/06（2006.01）I;H01S5/22（2006.01）I;H01S5/223（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 萬(wàn)楓;熊永華;余潔;曾筆鑒;陳玲玲;陳如山 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 武漢電信器件有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李路遙;張穎玲
地址 430074湖北省武漢市洪山區(qū)郵科院路88號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)了一種激光器芯片，包括：位于同一襯底上的調(diào)制模塊和激光模塊，所述調(diào)制模塊包括第一調(diào)制器和第二調(diào)制器；其中，所述第一調(diào)制器包括：在所述襯底上依次層疊的第一包覆層、第一填充層和第一電極層；所述第二調(diào)制器包括：在所述襯底上依次層疊的第二包覆層、第三包覆層和第二電極層；所述第三包覆層為深脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，所述第三包覆層覆蓋所述第二包覆層的第一部分區(qū)域，所述第二包覆層未被所述第三包覆層覆蓋的第二部分區(qū)域覆蓋有第二填充層。