一種利用缺陷和雜質(zhì)改進(jìn)單晶金剛石晶種外延生長的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010662250.7 申請日 -
公開（公告）號 CN111778556A 公開（公告）日 2020-10-16
申請公布號 CN111778556A 申請公布日 2020-10-16
分類號 C30B29/04(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 趙效銘 申請（專利權(quán)）人 物生生物科技（北京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京科迪生專利代理有限責(zé)任公司 代理人 安麗
地址 101320北京市順義區(qū)仁和鎮(zhèn)林河北大街21號院1幢5層2單元606
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種利用缺陷和雜質(zhì)改進(jìn)單晶金剛石晶種外延生長的方法，適用于微波等離子體化學(xué)氣相沉積方法(CVD)外延生長單晶金剛石，包括步驟：步驟一、確定單晶金剛石表面的雜質(zhì)和缺陷濃度。步驟二、進(jìn)行雜質(zhì)和缺陷處理。步驟三、進(jìn)行表面氫化處理。步驟四、進(jìn)行高速外延生長。本發(fā)明能夠利用內(nèi)部缺陷和雜質(zhì)含量高的單晶金剛石的品質(zhì)缺點(diǎn)，提高外延金剛石的生長速率，改進(jìn)產(chǎn)品質(zhì)量。??