一種用于大尺寸單晶金剛石拼接生長工藝
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202011281272.5 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112391680A | 公開（公告）日 | 2021-02-23 |
| 申請公布號 | CN112391680A | 申請公布日 | 2021-02-23 |
| 分類號 | C30B33/06(2006.01)I; | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 張濤;閆石;趙效銘 | 申請（專利權(quán)）人 | 物生生物科技（北京）有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京科迪生專利代理有限責任公司 | 代理人 | 安麗 |
| 地址 | 101320北京市順義區(qū)仁和鎮(zhèn)林河北大街21號院1幢5層2單元606 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種用于大尺寸單晶金剛石拼接生長工藝，適用于微波等離子體化學氣相沉積方法(MPCVD)外延生長單晶金剛石，包括步驟：步驟一、加工單晶金剛石晶種片邊緣呈榫接口狀。步驟二、進行邊緣接口的清理。步驟三、將完成拼接的多個晶種進行雙面打磨，以降低高度差。步驟四、將邊緣呈榫接口狀的金剛石晶種拼接到一起。步驟五、將打磨后的金剛石采用MPCVD法對拼接打磨后的晶種進行生長。本發(fā)明通過可微米級的榫接縫隙技術(shù)，使單晶金剛石生長過程中的應力弛豫，提高生長效果。利用榫接、邊緣處理、高度差處理等工藝實現(xiàn)大尺寸單晶金剛石的拼接生長，本發(fā)明獲得的大尺寸單晶金剛石具有平整度高，拼接部位應力小等優(yōu)點，可以獲得高品質(zhì)、大尺寸的單晶金剛石。?? |
