具有雙層布拉格反射鏡的發(fā)光二極管芯片及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110480400.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113410349A 公開（公告）日 2021-09-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN113410349A 申請(qǐng)公布日 2021-09-17
分類號(hào) H01L33/10（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陶羽宇;孫炳蔚 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 華燦光電（蘇州）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 呂耀萍
地址 215600江蘇省蘇州市張家港市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)晨豐公路28號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開提供了具有雙層布拉格反射鏡的發(fā)光二極管芯片及其制備方法，屬于發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域。在襯底與n?AlInP限制層之間設(shè)置第一布拉格反射鏡，在p?AlInP限制層與p?GaP歐姆接觸層之間設(shè)置第二布拉格反射鏡。發(fā)光層發(fā)出的大部分光線在第一布拉格反射鏡與第二布拉格反射鏡之間出現(xiàn)散射與漫反射的情況，且在遇到第一布拉格反射鏡與第二布拉格反射鏡均被反射，最后從第一布拉格反射鏡與第二布拉格反射鏡之間的外延層的側(cè)壁出射，會(huì)被襯底吸收的光線較少，二極管的出光率會(huì)比較高。光線的出射更為均勻，提高最終得到的發(fā)光二極管的出光效率與出光均勻度。