一種發(fā)光二極管外延片及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010226988.9 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN111554785B 公開（公告）日 2021-10-08
申請公布號(hào) CN111554785B 申請公布日 2021-10-08
分類號(hào) H01L33/32;H01L33/02;H01L33/12 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 姚振;從穎;董彬忠;李鵬 申請（專利權(quán)）人 華燦光電（蘇州）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 呂耀萍
地址 215600 江蘇省蘇州市張家港市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)晨豐公路
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開提供了一種發(fā)光二極管外延片及其制備方法，屬于發(fā)光二極管制造領(lǐng)域。發(fā)光二極管外延片的緩沖層包括沿外延片的生長方向?qū)盈B的：第一GaN子層作為后續(xù)第一SINx子層等結(jié)構(gòu)的生長基礎(chǔ)，第一SINx子層上形成部分微孔，位錯(cuò)被截?cái)嘣诘谝籗INx子層與第二GaN子層之間。在第二GaN子層上生長第二SINx子層，避免位錯(cuò)延伸至N型GaN層及有源層內(nèi)。最終在第二SINx子層上生長第三GaN子層，作為過渡層保證后N型GaN層及有源層的質(zhì)量。延伸至N型GaN層及有源層的位錯(cuò)較少，可以有效提高外延層的整體質(zhì)量，有源層內(nèi)會(huì)形成的缺陷較少，有源層內(nèi)的非輻射復(fù)合減少，有效提高了發(fā)光二極管的發(fā)光效率。