一種發(fā)光二極管外延片及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811062243.2 申請日 -
公開（公告）號 CN109449264B 公開（公告）日 2021-10-08
申請公布號 CN109449264B 申請公布日 2021-10-08
分類號 H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陶章峰;喬楠;張武斌;余雪平;程金連;胡加輝 申請（專利權）人 華燦光電（蘇州）有限公司
代理機構 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 代理人 徐立
地址 215600 江蘇省蘇州市張家港市經濟開發(fā)區(qū)晨豐公路
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管外延片及其制造方法，屬于半導體技術領域。發(fā)光二極管外延片的多量子阱層為多周期的超晶格結構，每個超晶格結構均包括InGaN量子阱層和依次層疊在InGaN量子阱層上的過渡層和GaN量子壘層，過渡層包括第一子層和設置在第一子層上的第二子層，第一子層為AlInN層，第二子層為AlGaN層。AlInN材料與InGaN材料晶格比較匹配，AlGaN材料與GaN材料的晶格比較匹配，且AlInN材料與GaN材料的晶格也比較匹配，因此通過設置第一子層和第二子層可以減少InGaN量子阱層與GaN量子壘層之間的晶格失配，從而減少缺陷的產生，提高電子和空穴在多量子阱層的輻射復合發(fā)光效率。