紫外發(fā)光二極管外延片及其制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | 2020109707456 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112289900A | 公開（公告）日 | 2021-01-29 |
| 申請公布號(hào) | CN112289900A | 申請公布日 | 2021-01-29 |
| 分類號(hào) | H01L33/06(2010.01)I; | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉旺平;梅勁;張武斌;劉春楊 | 申請（專利權(quán)）人 | 華燦光電（蘇州）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | 呂耀萍 |
| 地址 | 215600江蘇省蘇州市張家港市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)晨豐公路28號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公開提供了一種紫外發(fā)光二極管外延片及其制備方法，屬于發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域。將襯底與n型AlGaN層之間的緩沖層設(shè)置為包括交替層疊的AlGaN子層與SiN子層。SiN子層則可以抑制AlGaN子層生長時(shí)存在的缺陷進(jìn)一步向上延伸至n型AlGaN層與GaN/AlGaN多量子阱層中。AlGaN子層與SiN子層交替層疊，可釋放底層AlGaN子層與SiN子層積累的應(yīng)力，使得最靠近n型AlGaN層與GaN/AlGaN多量子阱層的AlGaN子層與SiN子層中的應(yīng)力與缺陷相對較少。使生長在緩沖層上的n型AlGaN層與GaN/AlGaN多量子阱層的質(zhì)量得到進(jìn)一步提高，最終得到的發(fā)光二極管中的發(fā)光效率得到提高。?? |
