具有反射結(jié)構(gòu)的紅光二極管芯片及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110529994.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113488566A 公開(kāi)（公告）日 2021-10-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN113488566A 申請(qǐng)公布日 2021-10-08
分類號(hào) H01L33/10（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 石祥生;邢振遠(yuǎn);王世俊;梅勁 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 華燦光電（蘇州）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 呂耀萍
地址 215600江蘇省蘇州市張家港市經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)晨豐公路28號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開(kāi)提供了具有反射結(jié)構(gòu)的紅光二極管芯片及其制備方法，屬于紅光二極管制作領(lǐng)域。在襯底與n型AlInP限制層之間增加反射結(jié)構(gòu)，反射結(jié)構(gòu)本身反射的光線的波長(zhǎng)范圍為600～900nm，反射結(jié)構(gòu)可以包括依次層疊的n個(gè)布拉格反射鏡，每個(gè)布拉格反射鏡所反射的光線的波長(zhǎng)逐漸增加，對(duì)幾乎紅光波長(zhǎng)范圍內(nèi)的所有光線進(jìn)行反射，有效保證紅光二極管的出光效率。在布拉格反射鏡的數(shù)量較多的情況下，也可以大幅度提高對(duì)不是垂直入射的光線的反射率，最終有效提高紅光二極管的外量子效率以提高紅光二極管的出光效率。