發(fā)光二極管外延片的生長(zhǎng)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011061544.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112186080B 公開(kāi)（公告）日 2021-10-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN112186080B 申請(qǐng)公布日 2021-10-08
分類(lèi)號(hào) H01L33/00（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L33/02（2010.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 從穎;姚振;梅勁 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 華燦光電（蘇州）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 呂耀萍
地址 215600江蘇省蘇州市張家港市經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)晨豐公路28號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開(kāi)提供了一種發(fā)光二極管外延片的生長(zhǎng)方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述生長(zhǎng)方法包括：提供一襯底；在襯底上依次生長(zhǎng)N型層、有源層和P型層；在襯底上生長(zhǎng)N型層包括：在襯底上生長(zhǎng)多個(gè)周期交替生長(zhǎng)的第一N型層和第二N型層，其中，在高溫低溫交替的條件下，以第一轉(zhuǎn)速生長(zhǎng)第一N型層，在低溫條件下，以第二轉(zhuǎn)速生長(zhǎng)第二N型層；第一轉(zhuǎn)速大于第二轉(zhuǎn)速，第一N型層中Si的摻雜濃度大于第二N型層中Si的摻雜濃度。采用該生長(zhǎng)方法可以改善外延片的翹曲，使得后續(xù)有源層生長(zhǎng)過(guò)程中，In源能夠均勻分布在外延片上，發(fā)光二極管最終的各項(xiàng)參數(shù)的一致性更好。