紫外發(fā)光二極管外延片及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010970745.6 申請日 -
公開（公告）號 CN112289900B 公開（公告）日 2021-10-08
申請公布號 CN112289900B 申請公布日 2021-10-08
分類號 H01L33/06（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉旺平;梅勁;張武斌;劉春楊 申請（專利權(quán)）人 華燦光電（蘇州）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 呂耀萍
地址 215600江蘇省蘇州市張家港市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)晨豐公路28號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開提供了一種紫外發(fā)光二極管外延片及其制備方法，屬于發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域。將襯底與n型AlGaN層之間的緩沖層設(shè)置為包括交替層疊的AlGaN子層與SiN子層。SiN子層則可以抑制AlGaN子層生長時存在的缺陷進(jìn)一步向上延伸至n型AlGaN層與GaN/AlGaN多量子阱層中。AlGaN子層與SiN子層交替層疊，可釋放底層AlGaN子層與SiN子層積累的應(yīng)力，使得最靠近n型AlGaN層與GaN/AlGaN多量子阱層的AlGaN子層與SiN子層中的應(yīng)力與缺陷相對較少。使生長在緩沖層上的n型AlGaN層與GaN/AlGaN多量子阱層的質(zhì)量得到進(jìn)一步提高，最終得到的發(fā)光二極管中的發(fā)光效率得到提高。